中微半导体设备（上海）股份有限公司，国内干法刻蚀绝对龙头，也是国内唯一实现 5nm/3nm 先进制程介质刻蚀量产、进入全球头部晶圆厂供应链的本土设备企业。刻蚀设备是公司核心业务，营收占比 80% 以上。


原理通俗理解：光刻机负责在晶圆上 “画出电路图案”，刻蚀机相当于芯片的 “微观雕刻刀”，用等离子体把不需要的材料去除，留下纳米级电路结构，是芯片制造核心设备，技术壁垒极高。

一、两大刻蚀技术路线
中微刻蚀分为CCP 电容耦合等离子体刻蚀、ICP 电感耦合等离子体刻蚀两大系列，合计二十余款设备，覆盖逻辑、3D‑NAND、DRAM、功率器件、先进封装、MEMS 全场景。

CCP‑电容耦合刻蚀（王牌主力，介质刻蚀）

高能离子轰击，擅长氧化硅、氮化硅等介质薄膜刻蚀；用于先进逻辑接触孔、3D‑NAND 超高深宽比沟槽、DRAM 电容孔刻蚀，是先进芯片制造用量最大的刻蚀品类。


代表机型：Primo AD‑RIE、Primo UD‑RIE、Primo Twin‑Star 双反应台系列中微半导体...。 能力：覆盖65nm‑5nm‑3nm 关键工艺；首创双反应台架构，双腔并行加工，兼顾高产能、低耗材成本；刻蚀精度可达亚埃级（0.2Å），适配上百层 3D NAND 极高深宽比刻蚀。 市场：设备进入台积电 5nm 产线；国内长存、长鑫、中芯国际大量采购，国内存储产线市占率较高。



Primo Twin‑Star刻蚀设备



ICP‑电感耦合刻蚀（导体 / 硅刻蚀）

低能、高等离子密度，离子密度与能量可独立调控；擅长硅、多晶硅、金属、化合物半导体、深硅刻蚀；应用于逻辑导体刻蚀、功率器件、先进封装、MEMS、Micro‑LED 等中微半导体...。


代表机型：Primo Nanova、Primo Angnova 新一代 ICP 设备中国新闻网。 用途：逻辑芯片硅栅刻蚀、功率器件沟槽、2.5D/3D 封装深硅刻蚀；已完成上百种工艺在国内多家产线量产验证。

二、核心技术亮点

双反应台原创架构：全球首创 CCP 双腔并行方案，后被海外泛林、东京电子等同行跟进借鉴；同等产能下设备拥有更低的耗材成本、更高良率。 自主 3D 线圈、多区温控静电吸盘、耐等离子腔体涂层，解决晶圆全片刻蚀均匀性、高深宽比形貌控制难题，实现原子级加工精度中微半导体...。 覆盖从成熟制程到先进逻辑、存储、功率半导体、先进封装多赛道，不局限先进逻辑芯片，8 英寸、12 英寸产线均有对应机型。

三、市场与客户情况


全球对标：全球刻蚀市场长期由泛林、东京电子、应用材料垄断；中微是全球刻蚀第一梯队中唯一中国大陆厂商。 客户：台积电、中芯国际、长江存储、长鑫存储、华虹、国内外功率器件、封装厂；刻蚀反应台全球累计出货超 6800 台（截至 2025 年底）static.sse...。 先进制程：CCP 设备超过 200 个反应台已经在 5nm 级别产线运转，可承接部分 3nm 关键工艺刻蚀步骤。

四、发展趋势

持续迭代更高深宽比、更高选择比刻蚀设备，适配 GAA、3D‑DRAM、更高层数 3D‑NAND； 从单一刻蚀设备向平台化拓展，同步发展薄膜沉积设备；
ICP 导体刻蚀持续拓展更多工艺窗口，提升在逻辑、功率半导体的渗透率。