通俗理解：刻蚀是 “挖掉材料”，薄膜沉积是 “长薄膜”。在晶圆表面一层层长出导电、绝缘、阻挡介质薄膜，构建晶体管、金属布线，芯片几十上百层薄膜都由沉积设备完成，与刻蚀交替循环加工晶圆。

一、五大沉积产品线

1、PVD 物理气相沉积（北方华创最强板块）

• 代表机型：Polaris 系列（12 英寸）、eVictor 系列（8 英寸）

• 12 英寸 Polaris H630：用于逻辑 / 存储铜互连、金属栅、硅化物、金属硬掩膜；可适配 FinFET、部分先进制程金属化工艺。

• 先进封装 PVD：面向 2.5D/3D 封装 TSV、RDL、UBM，低温低损伤镀膜，适配 HBM 高带宽内存产线需求。

• 行业地位：国内 PVD 市占率第一，多腔模块化架构，国内头部晶圆厂大规模量产，设备交付已超千台。

2、CVD 化学气相沉积

1. PECVD（等离子增强 CVD）Cygnus Optima Prime

   低温介质沉积，氧化硅、氮化硅、抗反射层、钝化层；逻辑、3D‑NAND 大量使用，产能高、均匀性好。

2. HDPCVD 高密度等离子 CVD Orion Proxima

   边沉积边刻蚀，擅长高深宽比沟槽介质填充，用于浅沟槽隔离 STI 等逻辑工艺。

3. LPCVD / 管式炉 CVD SICRIUS SN302DⅡ

   高温低压批量处理，氧化硅、氮化硅、多晶硅；存储芯片（3D‑NAND、DRAM）刚需；第三代全石英炉管，降低金属杂质污染，2026 新迭代机型。

4. 钨 CVD Surefill W630：钨塞、位线接触孔填充，逻辑与存储接触层关键设备。

3、ALD 原子层沉积

• 代表：Scaler HK430 热 ALD、Cygnus Capella SiO PE‑ALD、MG‑ALD 金属栅 ALD

• 用途：高 k 介质、金属栅功函数层、TSV 侧壁隔离层、硬掩膜；覆盖逻辑先进制程、3D‑NAND、HBM 先进封装；管式 Tube‑ALD 支持批量晶圆处理。

4、EPI 硅外延设备

5、ECP 电镀设备

二、核心技术亮点

1. 多腔模块化平台架构：同一主机平台可挂载不同工艺腔室，灵活切换 PVD/CVD/ 清洗，降低客户产线占地与运维成本，是平台型设备的核心优势。

2. 自研高精度磁控溅射源、等离子控制、颗粒抑制、静电吸盘、多区温控，保障大尺寸晶圆膜厚均匀性，降低颗粒缺陷，满足量产良率要求。

3. 全尺寸覆盖：8 英寸（功率、特色工艺）、12 英寸（逻辑、DRAM、3D‑NAND、HBM），同时兼顾集成电路、第三代半导体 SiC/GaN、先进封装多赛道。

4. 刻蚀 + 沉积协同：同一客户同时采购华创刻蚀 + 沉积设备，工艺协同调优，客户粘性高。

三、客户与制程能力

• 主要客户：中芯国际、华虹、长江存储、长鑫存储，大量功率半导体、先进封装厂商；设备批量进入国内 12 英寸产线，适配成熟制程、部分中先进节点；HBM 相关 TSV 全流程设备已导入验证。

• 全球对标：应用材料 AMAT、东京电子 TEL；PVD 国内第一；CVD、ALD 快速追赶国际一线水平。

• 业务体量：薄膜沉积业务 2025 年收入超百亿元，是公司第一大收入板块之一