薄膜沉积:拓荆科技介绍
2026-08-15 15:03:00
拓荆科技股份有限公司，2010 年 4 月成立，总部沈阳，2022 年科创板上市，国内CVD 薄膜沉积设备国产龙头，专注晶圆制造 “成膜” 工序，是国内少数实现 12 英寸产线薄膜沉积设备大规模量产交付的企业。
一、公司概况
全称：拓荆科技股份有限公司（Piotech），股票代码688072
成立：2010‑04，总部辽宁沈阳；国内沈阳、上海、北京、海宁、青岛布局研发制造基地，海外设有日本、新加坡、美国子公司
定位：专注半导体前道薄膜沉积设备 + 三维集成键合设备研发、生产、销售与现场技术服务；国家高新技术企业，多次获评中国半导体设备五强。
客户：国内主流 12 英寸晶圆厂（逻辑、存储、功率、CIS、硅光），设备已落地国内及中国台湾地区100 + 产线，提供 7×24 小时现场服务。
薄膜沉积：芯片三大核心工艺（光刻、刻蚀、沉积）之一，负责在硅片表面一层一层生长介质薄膜，占晶圆设备总投资约 22%。全球主要竞争对手：应用材料、东京电子。
二、核心薄膜沉积产品线（CVD/ALD）.
拓荆是国内唯一实现 PECVD、SACVD、HDPCVD、Flowable‑CVD、ALD 全系列 CVD 设备产业化的厂商。
表格
| 设备 | 全称 | 定位与用途 |
|---|---|---|
| PECVD | 等离子增强化学气相沉积 | 主力收入产品；沉积 SiO₂、SiN、TEOS 等介质膜；逻辑、3D‑NAND 存储产线大规模量产，覆盖成熟制程到先进制程 |
| ALD | 原子层沉积 | 高精度超薄薄膜；PE‑ALD、热 ALD；用于高 K、硬掩膜、先进存储，近年高速放量 |
| SACVD | 次常压 CVD | 沟槽填充，BPSG/PSG 膜，存储芯片关键工艺 |
| HDPCVD | 高密度等离子 CVD | 高深宽比沟槽间隙填充，逻辑芯片介质填充 |
| Flowable‑CVD | 可流动 CVD | 超高深宽比间隙填充（Gap‑Fill），适配先进存储 / 逻辑 |
平台代表机型：PF‑300T、PF‑300M 12 英寸设备平台，支持近百种工艺配方，可完成 ONO 叠层、ACHM 硬掩膜、Low‑k 等先进工艺量产验证。
三、第二增长曲线：三维集成设备（混合键合 Hybrid Bonding）
除薄膜沉积外，拓荆布局晶圆‑晶圆 (W2W)、芯片‑晶圆 (D2W) 混合键合设备，用于 HBM、3D 堆叠、先进封装。
Dione300：12 英寸晶圆对晶圆混合键合 / 熔融键合设备，已实现产业化，对标海外主流键合设备；
Pollux：芯片对晶圆键合设备，客户端验证阶段。
2026 年公告拟收购无锡尚积，补齐PVD 物理气相沉积、特色刻蚀能力，进一步完善薄膜设备平台版图。
四、下游应用领域
逻辑芯片、先进存储（3D‑NAND、DRAM）12 英寸晶圆制造；
功率半导体、CIS 图像传感器、硅光芯片；
MEMS、Micro‑OLED、HBM 先进 3D 封装。
五、核心竞争优势
全栈 CVD 国产化：国内唯一多品类 CVD 同时量产，PECVD 在国内 12 英寸产线国产市占率领先；ALD 装机量国内领先。
工艺覆盖广：单设备平台支持上百种薄膜工艺，适配逻辑、存储、特色工艺多场景。
本土快速服务：7×24 现场技术支持，快速响应产线调试、工艺迭代。
双轮驱动：薄膜沉积（基本盘）+ 三维混合键合（新增长），打开先进封装赛道空间。