公司基础概况

- 全称：**长鑫存储技术有限公司（上市主体：长鑫科技）**

- 成立：2016 年，合肥 “506 项目”；2026‑07‑27 科创板上市，股票代码**688825**上海证券报

- 模式：**IDM（自有晶圆厂）**，区别于普冉、兆易的 Fabless；总部合肥，北京建有第二晶圆基地，上海临港规划新工厂电子工程专...

- 定位：专注**DRAM（动态随机存储器，运行内存）**；HBM 是 DRAM 的高端堆叠形态，用于 AI 算力芯片

- 市场地位：**全球第四大 DRAM 厂商，国内第一**；2026Q1 全球 DRAM 市占约**7‑8%**；三星、SK 海力士、美光合计约 90% 份额

- 产能：合肥 + 北京 3 座 12 英寸 DRAM 晶圆厂，当前月投片**28‑30 万片**；规划 2026 年底 35 万片，远期目标月产 60 万片证券时报

二、核心 DRAM 产品线（非 HBM）

表格

| 产品系列 | 说明 | 应用场景 |

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| DDR5 | 服务器 / PC 内存，速率最高 8000MT/s，G4 工艺 | 服务器、台式机、工控 |

| LPDDR5/5X | 低功耗移动 DRAM | 手机、平板、车载、物联网 |

| DDR4 | 成熟通用 DRAM | 消费、工控、老旧服务器 |

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> 产品形态：DRAM 裸片、晶圆、内存模组；已经进入国内云厂商、服务器、手机、汽车供应链上海证券报...。

三、HBM 高带宽内存业务（AI 核心）

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> HBM = 多层 DRAM 裸片垂直堆叠，通过 TSV 硅通孔 + 混合键合封装，**超高带宽，用于 GPU/AI 加速芯片**，全球目前由三星、SK 海力士、美光垄断。

1、技术路线与进度（2026‑08）

1. **HBM2：已完成量产验证**，主要用于国产算力平台；

2. **HBM3（8 层 / 12 层堆叠）：工程样片完成，送样华为昇腾、寒武纪等国产 AI 厂商；计划 2026Q4 小批量试产，目标良率 65‑70%**；

3. **HBM3E、HBM4：同步预研**，HBM4 处于研发验证阶段；底层 DRAM 裸片基于自研 G4 工艺制造。

4. 封装：**HBM 不能单靠晶圆厂，必须配套高端 TSV、混合键合封装**；长鑫主要外协海太半导体、深科技沛顿等国内封测厂完成堆叠封装。

2、产能规划

- 2026 年底：HBM 专用晶圆月产能规划约**3‑6 万片**（占总 DRAM 产能约 15‑20%）；优先供给国内 AI 算力自主可控市场。

- 中长期：2027‑2028 继续扩 HBM 产能，上海临港新厂重点布局 HBM 高端产品；远期目标全球 HBM 份额达到 10‑12%。