长鑫存储技术有限公司（简称**长鑫存储**，上市主体：长鑫科技），是**中国大陆唯一实现 DRAM 大规模量产的 IDM 一体化存储企业**，专注 DRAM（动态随机存取存储器）芯片设计、研发、制造、销售，总部安徽合肥长鑫存储。

一、基础概况

- 创立：2016 年，2017 年正式注册；董事长朱一明抖音百科

- 定位：**国内 DRAM 龙头、全球第四大 DRAM 厂商**，国内唯一完整 DRAM IDM 厂商新浪财经

- 产线：合肥、北京合计 3 座 12 英寸晶圆厂，全部生产 DRAM 芯片；持续扩产中

- 资本市场：科创板 IPO 推进中，是国内存储产业核心战略企业

- 技术起点：基于奇梦达（Qimonda）技术专利许可，自主迭代研发，采用**4F²+CBA 埋入式字线架构**，**不使用 EUV 光刻机**，依靠 DUV 多重曝光实现先进工艺抖音百科。

二、发展关键历程长鑫存储

1. 2018：合肥基地完成设备搬入，试产 8Gb DDR4 工程样品

2. 2019：DDR4 正式量产，拿到第一笔商用订单，实现国产 DRAM 零突破

3. 2020‑2022：持续扩产，北京研发产线投产；DDR5、LPDDR5 开始研发

4. 2023‑2025：DDR5、LPDDR5X 大规模量产；17nm 工艺成为主力；全球市占率稳步提升至约 8%新浪财经

5. 2026：推进 HBM 高带宽内存研发，冲刺科创板 IPO，持续扩产高端 DRAM 产能

三、核心产品矩阵

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> 可提供**DRAM 颗粒、内存芯片、内存模组**三种形态

1. **DDR4**：成熟主力，台式机、服务器、工控、机顶盒；19nm 工艺

2. **DDR5**：新一代桌面 / 服务器内存，最高速率 8000Mbps，AI 服务器、PC 主流；17nm 工艺长鑫存储

3. **LPDDR4X / LPDDR5 / LPDDR5X**：低功耗移动 DRAM，用于手机、平板、VR、车载，LPDDR5X 速率可达 10677Mbps长鑫存储

4. 研发中：**HBM 高带宽内存**，面向 AI 算力、高性能计算场景

**应用场景**：PC 台式 / 笔记本、服务器、AI 算力、智能手机、车载、物联网、VR/AR、工业设备长鑫存储。

四、技术工艺

- 工艺路线：**跳代研发**，跳过部分节点快速迭代

  - G1（19nm）：DDR4 主力工艺

  - G3（17nm）：当前主力，DDR5/LPDDR5X，良率 > 90%

  - G4（16nm）：持续爬坡，DUV 多重曝光路线，不依赖 EUV 设备

- 专利：累计数千项境内外发明专利，承担国家存储器重大专项中国日报网。

五、市场地位

- 全球 DRAM 格局：三星、SK 海力士、美光（前三），**长鑫存储为全球第四**，2026 年全球市占约 8%，国内 DRAM 市占 30% 以上。

- 下游客户：国内服务器厂商、互联网云厂商、PC、手机终端品牌；同时面向海外市场供货。

- 意义：结束中国大陆没有自主大规模 DRAM 制造的历史，解决国产内存供应链自主可控。