HBM先进封装:通富微电公司介绍
基础概况
全称：通富微电子股份有限公司
上市：深交所 A 股 002156.SZ
发展关键：2015 年收购 AMD 苏州、马来西亚槟城工厂 85% 股权，建立与 AMD 深度合资绑定，一跃进入全球先进封测第一梯队。
生产基地：国内（南通、苏州、合肥）；海外马来西亚槟城（核心先进封装基地）；控股子公司海太半导体（51%），是 HBM 存储封装重要载体，和 SK 海力士深度合作。
客户结构：AMD 为第一大客户，同时服务 SK 海力士、长鑫存储、海光、华为昇腾等；海外收入占比高。
二、核心业务（重点 HBM 先进存储封装）
1、HBM 高带宽内存封装（AI 存储核心）
HBM 是 AI GPU 必备高带宽存储，分为前道 TSV 硅通孔工艺（存储颗粒厂完成） + 后道堆叠封装（通富 / 长电等 OSAT 完成）。
通过子公司海太半导体承接 SK 海力士 HBM 后道封装，实现HBM3/HBM3E 批量量产，支持 12 层 DRAM 堆叠，良率 98% 以上。
具备HBM 堆叠 + GPU 芯片一体化集成封装能力，为 AMD MI 系列 AI 加速卡提供配套封装服务金融界。
同时承接国内长鑫存储 HBM 封装订单，国产 HBM 产业链重要封测平台。
已拿到 SK 海力士大额长期 HBM 封装订单，是国内封测企业最大海外 HBM 订单之一。
区分：HBM 前道 TSV（硅通孔）由 DRAM 颗粒厂（SK 海力士 / 三星 / 美光）完成；通富做后道堆叠、绑定、封装测试。
2、AI 算力 Chiplet / FCBGA 先进封装（公司第一大收入板块）
VISionS 先进封装平台：大尺寸 FC‑BGA 倒装封装，支持多芯片 Chiplet 合封；5nm 大规模量产，3nm 多芯片封装完成验证。
深度绑定 AMD：承接 AMD 约 80% 以上 CPU、GPU 封测订单，是 AMD 全球最大封测供应商；适配 MI300 系列 AI 加速卡的超大尺寸芯片封装。
可做多颗芯粒异构合封，用于服务器 AI 算力芯片。
3、普通存储与其他业务
DDR5、LPDDR、NAND Flash、MCU、电源管理、车规芯片封测；
车规 AEC‑Q100 认证，进入国内新能源车供应链。
三、市场地位
全球封测排名：第 4 位，仅次于日月光、安靠、长电科技；国内第二大封测企业。
HBM 后道封装：国内两大具备 HBM3/HBM3E 批量出货的封测厂（通富微电、长电科技）。
算力 FC‑BGA、Chiplet 封装国内第一梯队，海外马来西亚槟城基地具备 3nm 先进封装验证能力。