CMP抛光液:安集科技公司介绍
安集微电子科技（上海）股份有限公司，2004 年成立，2019 年科创板上市，国内 CMP 化学机械抛光液龙头，国内唯一实现 CMP 抛光液全品类量产的本土企业，打破海外垄断，是芯片制造关键耗材国产替代标杆。
CMP（化学机械抛光）：芯片制造中晶圆全局平坦化核心工艺，每一层金属 / 介质薄膜都需要抛光，先进制程芯片抛光步骤可达 30 次以上；抛光液是 CMP 核心耗材，配方、磨料、杂质控制壁垒极高，晶圆厂认证周期 18‑24 个月。
一、公司业务概况
核心业务：CMP 抛光液（营收占比约 81%）、功能性湿电子化学品、电镀液及添加剂，覆盖晶圆制造抛光、清洗、沉积三大工序。
2025 年：CMP 抛光液营收20.40 亿元，同比 + 32.06%，毛利率 58.28%；全球市占约13%，国内市占第一。
研发：持续高研发投入，研发费率约 18%，拥有完整配方‑磨料‑应用验证‑量产全链条能力，参与制定集成电路 CMP 抛光液行业标准。
二、CMP 抛光液全品类产品平台
安集实现铜、钨、介电、氧化铈、衬底抛光液五大平台全覆盖，适配逻辑、存储（3D‑NAND、DRAM、HBM）、功率半导体、先进封装。
铜及铜阻挡层抛光液（主力）
用于逻辑芯片铜互连工艺，28nm 成熟制程实现全面国产替代；14nm 及以下先进制程已规模化供货，适配中芯国际等逻辑产线；也用于 HBM 存储堆叠工艺。
钨抛光液
用于通孔、接触孔钨塞，广泛用于逻辑、存储、功率器件；适配长江存储、长鑫存储、华虹等产线，是存储芯片核心耗材。
介电材料抛光液（氧化硅、氮化硅）
浅沟槽隔离 STI、层间介质 ILD 抛光；适配先进逻辑与 3D NAND 堆叠。
氧化铈基抛光液
用于 STI 浅沟槽隔离、硅衬底、玻璃基板；区别于氧化铝磨料，适合高选择比工艺。
衬底抛光液
硅片、碳化硅等第三代半导体衬底抛光，布局第三代半导体赛道。
配套：同时布局电镀液、湿电子化学品（清洗液、剥离液），形成 “抛光‑清洗‑沉积” 材料组合方案证券时报。
三、客户与市场地位
国内客户
中芯国际、长江存储、长鑫存储、华虹、华润微、长电科技等国内主流晶圆厂与封测厂；成熟制程实现大规模供货，先进制程持续放量。
海外客户
进入三星、SK 海力士、美光 HBM 供应链，实现国产抛光液对海外存储大厂供货突破。
竞争格局
全球主要对手：卡博特 Cabot、富士美 Fujimi、默克 Versum、Entegris 英特格；海外巨头合计占据全球约 65% 份额。
安集：全球第五大 CMP 抛光液供应商，国内市占第一；28nm 以上成熟制程国产化率高，14nm 以下先进制程加速渗透；短板为 7nm 以下仍在验证迭代，抛光垫不自产（抛光垫主要由陶氏垄断）。
四、核心壁垒
配方壁垒：纳米磨料颗粒、表面活性剂、络合剂、pH 体系复配，要兼顾去除速率、选择比、缺陷控制、金属残留（ppb 级别）；
磨料自主：自研纳米磨料颗粒，关键原材料自主可控；
客户认证壁垒：晶圆厂认证周期 18‑24 个月，验证通过后粘性极强；
量产质控：ppm/ppb 级杂质管控，大规模稳定量产能力。
五、主要风险点
先进制程（7nm 及以下）产品仍在研发验证，短期难以完全追赶海外头部；
客户认证周期长，新产线导入节奏慢；
海外巨头价格、技术竞争；
下游晶圆厂资本开支波动影响耗材需求。